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】【1】【6】【p】【x】【;】【"】【>】【<】【s】【t】【r】【o】【n】【g】【>】【半】【导】【体】【资】【料】【的】【开】【展】【进】【程】【<】【/】【s】【t】【r】【o】【n】【g】【>】【<】【/】【s】【p】【a】【n】【>】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【导】【电】【才】【能】【介】【于】【导】【体】【与】【绝】【缘】【体】【之】【间】【的】【物】【质】【称】【为】【半】【导】【体】【,】【半】【导】【体】【资】【料】【是】【一】【类】【具】【有】【半】【导】【体】【功】【能】【、】【可】【用】【来】【制】【作】【半】【导】【体】【器】【材】【和】【<】【s】【p】【a】【n】【 】【c】【l】【a】【s】【s】【=】【'】【h】【r】【e】【f】【S】【t】【y】【l】【e】【'】【>】【集】【成】【电】【路】【<】【/】【s】【p】【a】【n】【>】【的】【电】【子】【资】【料】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【现】【在】【的】【半】【导】【体】【资】【料】【现】【已】【开】【展】【到】【第】【三】【代】【。】【第】【一】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【首】【要】【以】【硅】【(】【S】【i】【)】【、】【锗】【(】【G】【e】【)】【为】【主】【,】【2】【0】【世】【纪】【5】【0】【年】【代】【,】【G】【e】【在】【半】【导】【体】【中】【占】【主】【导】【位】【置】【,】【首】【要】【使】【用】【于】【低】【压】【、】【低】【频】【、】【中】【功】【率】【晶】【体】【管】【以】【及】【光】【电】【探】【测】【器】【中】【,】【可】【是】【G】【e】【半】【导】【体】【器】【材】【的】【耐】【高】【温】【和】【抗】【辐】【射】【功】【能】【较】【差】【,】【到】【6】【0】【年】【代】【后】【期】【逐】【步】【被】【S】【i】【器】【材】【替】【代】【。】【用】【S】【i】【资】【料】【制】【作】【的】【半】【导】【体】【器】【材】【,】【耐】【高】【温】【和】【抗】【辐】【射】【功】【能】【较】【好】【。】【S】【i】【储】【量】【极】【其】【丰】【富】【,】【提】【纯】【与】【结】【晶】【便】【利】【,】【二】【氧】【化】【硅】【(】【S】【i】【O】【2】【)】【薄】【膜】【的】【纯】【度】【很】【高】【,】【绝】【缘】【功】【能】【很】【好】【,】【这】【使】【器】【材】【的】【稳】【定】【性】【与】【可】【靠】【性】【大】【为】【进】【步】【,】【因】【而】【S】【i】【现】【已】【成】【为】【使】【用】【最】【广】【的】【一】【种】【半】【导】【体】【资】【料】【。】【现】【在】【9】【5】【%】【以】【上】【的】【半】【导】【体】【器】【材】【和】【9】【9】【%】【以】【上】【的】【集】【成】【电】【路】【都】【是】【由】【S】【i】【资】【料】【制】【作】【。】【在】【2】【1】【世】【纪】【,】【它】【的】【主】【导】【和】【中】【心】【位】【置】【仍】【不】【会】【不】【坚】【定】【。】【可】【是】【S】【i】【资】【料】【的】【物】【理】【性】【质】【约】【束】【了】【其】【在】【光】【电】【子】【和】【高】【频】【高】【<】【s】【p】【a】【n】【 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】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【2】【0】【世】【纪】【9】【0】【年】【代】【以】【来】【,】【跟】【着】【移】【动】【通】【讯】【的】【飞】【速】【开】【展】【、】【以】【光】【纤】【通】【讯】【为】【根】【底】【的】【信】【息】【高】【速】【公】【路】【和】【互】【联】【网】【的】【鼓】【起】【,】【以】【砷】【化】【镓】【(】【G】【a】【A】【s】【)】【、】【磷】【化】【铟】【(】【I】【n】【P】【)】【为】【代】【表】【的】【第】【二】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【开】【端】【崭】【露】【头】【脚】【。】【G】【a】【A】【s】【、】【I】【n】【P】【等】【资】【料】【适】【用】【于】【制】【作】【高】【速】【、】【高】【频】【、】【大】【功】【率】【以】【及】【发】【光】【电】【子】【器】【材】【,】【是】【制】【作】【高】【功】【能】【微】【波】【、】【毫】【米】【波】【器】【材】【及】【发】【光】【器】【材】【的】【优】【秀】【资】【料】【,】【广】【泛】【使】【用】【于】【卫】【星】【通】【讯】【、】【移】【动】【通】【讯】【、】【光】【通】【讯】【、】【G】【P】【S】【导】【航】【等】【范】【畴】【。】【可】【是】【G】【a】【A】【s】【、】【I】【n】【P】【资】【料】【资】【源】【稀】【缺】【,】【价】【格】【昂】【贵】【,】【而】【且】【还】【有】【毒】【性】【,】【能】【污】【染】【环】【境】【,】【I】【n】【P】【乃】【至】【被】【认】【为】【是】【可】【疑】【致】【癌】【物】【质】【,】【这】【些】【缺】【陷】【使】【得】【第】【二】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【的】【使】【用】【具】【有】【很】【大】【的】【局】【限】【性】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【第】【三】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【首】【要】【包】【含】【S】【i】【C】【、】【G】【a】【N】【、】【金】【刚】【石】【等】【,】【因】【其】【禁】【带】【宽】【度】【(】【E】【g】【)】【大】【于】【或】【等】【于】【2】【.】【3】【电】【子】【伏】【特】【(】【e】【V】【)】【,】【又】【被】【称】【为】【宽】【禁】【带】【半】【导】【体】【资】【料】【。】【和】【第】【一】【代】【、】【第】【二】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【比】【较】【,】【第】【三】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【具】【有】【高】【热】【导】【率】【、】【高】【击】【穿】【场】【强】【、】【高】【饱】【满】【电】【子】【漂】【移】【速】【率】【和】【高】【键】【合】【能】【等】【长】【处】【,】【能】【够】【满】【意】【现】【代】【<】【s】【p】【a】【n】【 】【c】【l】【a】【s】【s】【=】【'】【h】【r】【e】【f】【S】【t】【y】【l】【e】【'】【>】【电】【子】【技】【能】【<】【/】【s】【p】【a】【n】【>】【对】【高】【温】【、】【高】【功】【率】【、】【高】【压】【、】【高】【频】【以】【及】【抗】【辐】【射】【等】【恶】【劣】【条】【件】【的】【新】【要】【求】【,】【是】【半】【导】【体】【资】【料】【范】【畴】【最】【有】【远】【景】【的】【资】【料】【,】【在】【国】【防】【、】【航】【空】【、】【航】【天】【、】【石】【油】【勘】【探】【、】【光】【存】【储】【等】【范】【畴】【有】【着】【重】【要】【使】【用】【远】【景】【,】【在】【宽】【带】【通】【讯】【、】【太】【阳】【能】【、】【汽】【车】【制】【作】【、】【半】【导】【体】【照】【明】【、】【智】【能】【电】【网】【等】【很】【多】【战】【略】【职】【业】【能】【够】【下】【降】【5】【0】【%】【以】【上】【的】【能】【量】【丢】【失】【,】【最】【高】【能】【够】【使】【配】【备】【体】【积】【减】【小】【7】【5】【%】【以】【上】【,】【对】【人】【类】【科】【技】【的】【开】【展】【具】【有】【里】【程】【碑】【的】【含】【义】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【<】【s】【p】【a】【n】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【f】【o】【n】【t】【-】【s】【i】【z】【e】【:】【 】【1】【8】【p】【x】【;】【"】【>】【<】【s】【t】【r】【o】【n】【g】【>】【第】【三】【代】【半】【导】【体】【资】【料】【<】【/】【s】【t】【r】【o】【n】【g】【>】【<】【/】【s】【p】【a】【n】【>】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【<】【s】【t】【r】【o】【n】【g】【>】【碳】【化】【硅】【单】【晶】【资】【料】【<】【/】【s】【t】【r】【o】【n】【g】【>】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【在】【宽】【禁】【带】【半】【导】【体】【资】【料】【范】【畴】【就】【技】【能】【成】【熟】【度】【而】【言】【,】【碳】【化】【硅】【是】【这】【族】【资】【料】【中】【最】【高】【的】【,】【是】【宽】【禁】【带】【半】【导】【体】【的】【中】【心】【。】【S】【i】【C】【资】【料】【是】【I】【V】【-】【I】【V】【族】【半】【导】【体】【化】【合】【物】【,】【具】【有】【宽】【禁】【带】【(】【E】【g】【:】【3】【.】【2】【e】【V】【)】【、】【高】【击】【穿】【电】【场】【(】【4】【×】【1】【0】【6】【V】【/】【c】【m】【)】【、】【高】【热】【导】【率】【(】【4】【.】【9】【W】【/】【c】【m】【.】【k】【)】【等】【特】【色】【。】【从】【结】【构】【上】【讲】【,】【S】【i】【C】【资】【料】【属】【硅】【碳】【原】【子】【对】【密】【排】【结】【构】【,】【既】【能】【够】【当】【作】【硅】【原】【子】【密】【排】【,】【碳】【原】【子】【占】【其】【四】【面】【体】【空】【位】【;】【又】【可】【当】【作】【碳】【原】【子】【密】【排】【,】【硅】【占】【碳】【的】【四】【面】【体】【空】【位】【。】【关】【于】【碳】【化】【硅】【密】【排】【结】【构】【,】【由】【单】【向】【密】【排】【方】【法】【的】【不】【同】【发】【生】【各】【种】【不】【同】【的】【晶】【型】【,】【业】【已】【发】【现】【约】【2】【0】【0】【种】【。】【现】【在】【最】【常】【见】【使】【用】【最】【广】【泛】【的】【是】【4】【H】【和】【6】【H】【晶】【型】【。】【4】【H】【-】【S】【i】【C】【特】【别】【适】【用】【于】【微】【电】【子】【范】【畴】【,】【用】【于】【制】【备】【高】【频】【、】【高】【温】【、】【大】【功】【率】【器】【材】【;】【6】【H】【-】【S】【i】【C】【特】【别】【适】【用】【于】【光】【电】【子】【范】【畴】【,】【完】【成】【全】【彩】【显】【现】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【c】【e】【n】【t】【e】【r】【"】【>】【<】【i】【m】【g】【 】【s】【r】【c】【=】【"】【/】【u】【p】【l】【o】【a】【d】【s】【/】【a】【l】【l】【i】【m】【g】【/】【1】【7】【0】【7】【2】【7】【/】【2】【0】【1】【7】【0】【7】【2】【7】【1】【8】【3】【3】【3】【4】【m】【r】【g】【j】【e】【3】【a】【v】【2】【a】【r】【1】【1】【4】【8】【.】【j】【p】【g】【"】【 】【a】【l】【t】【=】【"】【未】【来】【电】【子】【信】【息】【工】【业】【的】【操】【纵】【 】【起】【底】【第】【三】【代】【半】【导】【体】【工】【业】【开】【展】【现】【状】【"】【 】【t】【i】【t】【l】【e】【=】【"】【未】【来】【电】【子】【信】【息】【工】【业】【的】【操】【纵】【 】【起】【底】【第】【三】【代】【半】【导】【体】【工】【业】【开】【展】【现】【状】【"】【/】【>】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【跟】【着】【S】【i】【C】【技】【能】【的】【开】【展】【,】【其】【电】【子】【器】【材】【和】【电】【路】【将】【为】【体】【系】【处】【理】【上】【述】【应】【战】【奠】【定】【坚】【实】【根】【底】【。】【因】【而】【S】【i】【C】【资】【料】【的】【开】【展】【将】【直】【接】【影】【响】【宽】【禁】【带】【技】【能】【的】【开】【展】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【S】【i】【C】【器】【材】【和】【电】【路】【具】【有】【超】【强】【的】【功】【能】【和】【宽】【广】【的】【使】【用】【远】【景】【,】【因】【而】【一】【向】【受】【业】【界】【高】【度】【重】【视】【,】【根】【本】【形】【成】【了】【美】【国】【、】【欧】【洲】【、】【日】【本】【鼎】【足】【之】【势】【的】【局】【势】【。】【现】【在】【,】【国】【际】【上】【完】【成】【碳】【化】【硅】【单】【晶】【抛】【光】【片】【商】【品】【化】【的】【公】【司】【首】【要】【有】【美】【国】【的】【C】【r】【e】【e】【公】【司】【、】【B】【a】【n】【d】【g】【a】【p】【公】【司】【、】【D】【o】【w】【D】【c】【o】【r】【n】【i】【n】【g】【公】【司】【、】【I】【I】【-】【V】【I】【公】【司】【、】【I】【n】【s】【t】【r】【i】【n】【s】【i】【c】【公】【司】【;】【日】【本】【的】【N】【i】【p】【p】【o】【n】【公】【司】【、】【S】【i】【x】【o】【n】【公】【司】【;】【芬】【兰】【的】【O】【k】【m】【e】【t】【i】【c】【公】【司】【;】【德】【国】【的】【S】【i】【C】【r】【y】【s】【t】【a】【l】【公】【司】【,】【等】【。】【其】【间】【C】【r】【e】【e】【公】【司】【和】【S】【i】【C】【r】【y】【s】【t】【a】【l】【公】【司】【的】【商】【场】【占】【有】【率】【超】【越】【8】【5】【%】【。】【在】【所】【有】【的】【碳】【化】【硅】【制】【备】【厂】【商】【中】【以】【美】【国】【C】【r】【e】【e】【公】【司】【最】【强】【,】【其】【碳】【化】【硅】【单】【晶】【资】【料】【的】【技】【能】【水】【平】【可】【代】【表】【了】【国】【际】【水】【平】【,】【专】【家】【猜】【测】【在】【未】【来】【的】【几】【年】【里】【C】【r】【e】【e】【公】【司】【还】【将】【在】【碳】【化】【硅】【衬】【底】【商】【场】【上】【名】【列】【前】【茅】【。】【<】【/】【p】【>】

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